SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7806ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.5W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V.

Preis SI7806ADN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7806ADN-T1-GE3
SI7806ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
VISH_S_A0000689644_1-2566836.pdf
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SI7806ADN-T1-GE3
SI7806ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
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