SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

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Technische Details SI7820DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis SI7820DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7820DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
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