Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7820dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.

Weitere Produktangebote SI7820DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.19 EUR bis 3.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7820dn.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 21859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.32 EUR
100+1.83 EUR
250+1.81 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 11681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.71 EUR
10+2.38 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH