SI7852DP-T1-GE3

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SI7852DP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 12.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI7852DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis SI7852DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7852DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7852DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7852DP-T1-GE3
SI7852DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7852DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7852DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI7852DP-T1-GE3
SI7852DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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