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Technische Details SI7852DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7852DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.98 EUR bis 26.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 10989 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 12.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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