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Technische Details SI7852DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7852DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.64 EUR bis 24.64 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 9092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.6A On-state resistance: 16.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
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| SI7852DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.6A On-state resistance: 16.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A |
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