SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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Technische Details SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.2, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7949DP-T1-E3 nach Preis ab 1.73 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 12237 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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