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Technische Details SI7949DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7949DP-T1-E3 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.64 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 7437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
auf Bestellung 6973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 12703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 12703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7949DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |