SI7956DP-T1-E3
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Technische Details SI7956DP-T1-E3
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8, Power - Max: 1.4W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Preis SI7956DP-T1-E3 ab 2.85 EUR bis 3.92 EUR
SI7956DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R ![]() ![]() |
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SI7956DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 ![]() |
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SI7956DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 150V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ![]() |
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SI7956DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 150V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual ![]() |
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SI7956DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) FET Type: 2 N-Channel (Dual) FET Feature: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Power - Max: 1.4W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual ![]() |
auf Bestellung 2773 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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