SI8401DB-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Technische Details SI8401DB-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI8401, Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel.

Preis SI8401DB-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI8401DB-T1-E3
Hersteller:
SI8401DB MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-XFBGA, CSPBGA
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI8401
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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