SI8409DB-T1-E1
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Technische Details SI8409DB-T1-E1
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP, Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA.
Preis SI8409DB-T1-E1 ab 1.74 EUR bis 3.02 EUR
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller: 
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2652 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller: VISHAY 09+
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3018 Stücke |
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-Microfoot Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
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auf Bestellung 6286 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
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