SI8409DB-T1-E1

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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Technische Details SI8409DB-T1-E1

Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP, Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA.

Preis SI8409DB-T1-E1 ab 1.74 EUR bis 3.02 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
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