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SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1 Vishay


si8409db.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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Technische Details SI8409DB-T1-E1 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V.

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SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8409db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8409db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
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SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8409db.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8409db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8409db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8409DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8409db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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