SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 2.8A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.9W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8.3nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 15A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI8800EDB-T2-E1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 0.81 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A |
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