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SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors


si8800edb.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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Technische Details SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 0.9W, Gate charge: 8.3nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 2.8A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.15Ω, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8800edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
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SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Hersteller : Vishay si8800edb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R
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SI8800EDB-T2-E1 Hersteller : VISHAY si8800edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8800EDB-T2-E1 Hersteller : VISHAY si8800edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
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Technology: TrenchFET®
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