SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 0.9W, Gate charge: 8.3nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 2.8A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.15Ω, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI8800EDB-T2-E1 nach Preis ab 1.01 EUR bis 1.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.15Ω Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
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SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.15Ω |
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