SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAYP-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12? Equivalent SI9407AEY Trans. SI9407BDY SOP08 TSI9407bdy
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Technische Details SI9407BDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI9407BDY-T1-GE3 ab 1.32 EUR bis 1.32 EUR
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller: SILI P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12? Equivalent SI9407AEY Trans. SI9407BDY SOP08 TSI9407bdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 4.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 4.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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auf Bestellung 16670 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 1916 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)
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