SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12? Equivalent SI9407AEY Trans. SI9407BDY SOP08 TSI9407bdy
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Technische Details SI9407BDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI9407BDY-T1-GE3 ab 1.32 EUR bis 1.32 EUR

SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: SILI
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12? Equivalent SI9407AEY Trans. SI9407BDY SOP08 TSI9407bdy
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Hersteller: VISHAY
Material: SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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