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SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 11708200-5
Price: 1375 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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Technische Details SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI9407BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.47 EUR bis 8.91 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8

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2+	2.04 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.8 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V

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7+	2.57 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.78 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 190 Stücke:

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Anzahl	Preis
30+	1.19 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 14 Stücke:

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Anzahl	Preis
20+	1.39 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 3655 Stücke:

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Anzahl	Preis
45+	1.6 EUR
130+	0.55 EUR
137+	0.52 EUR
10000+	0.51 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
45+	1.6 EUR
143+	0.5 EUR
151+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	8.91 EUR

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SI9407BDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

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