Produkte > VISHAY > SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

si9407bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI9407BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.7 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
60+1.21 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.52 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 12499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH