SI9435BDY-T1-GE3

SI9435BDY-T1-GE3

SI9435BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
72245-1765962.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1081 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+ 2.42 EUR
25+ 2.17 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.4 EUR

Technische Details SI9435BDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Preis SI9435BDY-T1-GE3 ab 1.4 EUR bis 2.42 EUR

SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
72245.pdf
2500 Stücke
SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
72245.pdf 72245.pdf
517 Stücke
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller:
SI9435BDY MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
72245.pdf 72245.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
72245.pdf 72245.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
72245.pdf
auf Bestellung 158 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
72245.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI9435BDY-T1-GE3
SI9435BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
72245.pdf
auf Bestellung 3 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)