SI9435BDY-T1-GE3
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Technische Details SI9435BDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Preis SI9435BDY-T1-GE3 ab 1.4 EUR bis 2.42 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R 
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2500 Stücke |
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 4.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.3 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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517 Stücke |
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SI9435BDY-T1-GE3 Hersteller: SI9435BDY MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
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SI9435BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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auf Bestellung 158 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Mounting Type: Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel
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auf Bestellung 3 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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