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Technische Details SI9435BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI9435BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
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SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V |
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SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: 0 productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
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| SI9435BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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