SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 25+ | 1.04 EUR |
| 29+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V.
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Preis ohne MwSt |
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SIB441EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIB441EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
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SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SIB441EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Sealed Lead Acid Battery PS-1290F2 12V9.0AH; F2 |
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