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SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib441edk.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
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Technische Details SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib441edk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
auf Bestellung 11928 Stücke:
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25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
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500+0.38 EUR
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SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY VISHS85628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+1.17 EUR
254+0.92 EUR
409+0.52 EUR
524+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY VISHS85628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors sib441edk.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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SIB441EDK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
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SIB441EDK-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SIB441EDK-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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AnzahlPrivatkunde
3+1.58 EUR
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