SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.19 EUR |
| 10+ | 4.37 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.14 EUR |
| 1000+ | 2.69 EUR |
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Technische Details SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 227, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SIDR626EP-T1-RE3 nach Preis ab 2.97 EUR bis 5.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIDR626EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK |
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SIDR626EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 227 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR626EP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Verlustleistung: 150 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145 Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIDR626EP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
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