SIDR626EP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1500+ | 3.38 EUR |
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Technische Details SIDR626EP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 227A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIDR626EP-T1-RE3 nach Preis ab 3.12 EUR bis 9.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIDR626EP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 50.8A |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIDR626EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 227A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIDR626EP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 50.8A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 50.8A
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.69 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 3.12 EUR |
| SIDR626EP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 27+ | 9.34 EUR |
| 50+ | 6.1 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1500+ | 3.38 EUR |