SIHB22N60ET1-GE3

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details SIHB22N60ET1-GE3
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263, Base Part Number: SIHB22, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 100V, Vgs (Max): ±30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V.
Preis SIHB22N60ET1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SIHB22N60ET1-GE3 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263 ![]() |
auf Bestellung 800 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Base Part Number: SIHB22 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 100V Vgs (Max): ±30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V ![]() |
auf Bestellung 785 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|