SIHB22N60ET1-GE3
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Technische Details SIHB22N60ET1-GE3
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263, Base Part Number: SIHB22, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 100V, Vgs (Max): ±30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V.
Preis SIHB22N60ET1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263 
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Base Part Number: SIHB22 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 100V Vgs (Max): ±30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
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auf Bestellung 785 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT)
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