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SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
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Technische Details SIHB22N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 227W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
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SIHB22N60ET1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHB22N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
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SIHB22N60ET1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
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On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
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