SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 227W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SIHB22N60ET1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
SIHB22N60ET1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH