SIHB22N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.29 EUR |
| 10+ | 6.09 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 3.81 EUR |
| 800+ | 3.75 EUR |
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Technische Details SIHB22N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 227W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 56A.
Weitere Produktangebote SIHB22N60ET1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix |
 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
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SIHB22N60ET1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 56A |
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| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
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| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
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| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
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| SIHB22N60ET1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
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