SIHD6N80E-GE3
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Technische Details SIHD6N80E-GE3
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.
Preis SIHD6N80E-GE3 ab 1.45 EUR bis 5.69 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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SIHD6N80E-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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