SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
sihd6n80e.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1935 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+ 1.45 EUR

Technische Details SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.

Preis SIHD6N80E-GE3 ab 1.45 EUR bis 5.69 EUR

SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
sihd6n80e.pdf
auf Bestellung 2185 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+ 5.69 EUR
10+ 5.11 EUR
100+ 4.1 EUR
500+ 3.37 EUR
1000+ 2.89 EUR
SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
sihd6n80e.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIHD6N80E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
sihd6n80e.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
sihd6n80e-1768679.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)