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Technische Details SIHF080N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote SIHF080N60E-GE3 nach Preis ab 3.24 EUR bis 10.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 3786 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
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