SIHF080N60E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 7.36 EUR |
| 50+ | 3.30 EUR |
| 100+ | 3.18 EUR |
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Technische Details SIHF080N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHF080N60E-GE3 nach Preis ab 3.41 EUR bis 7.43 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES |
auf Bestellung 3581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
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| SIHF080N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
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