SIHG20N50C-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.47 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
50+ | 2.52 EUR |
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Technische Details SIHG20N50C-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG20N50C-E3 nach Preis ab 2.52 EUR bis 5.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 Produktcode: 51442 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
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