SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Produktcode: 51442
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details SIHG20N50C-E3

Preis SIHG20N50C-E3 ab 5.96 EUR bis 8.27 EUR

SIHG20N50C-E3
Hersteller: SILI
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT Trans. SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
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SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 292
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50C-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors
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SIHG20N50C-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors
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SIHG20N50C-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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