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Technische Details SIHG20N50C-E3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIHG20N50C-E3 nach Preis ab 2.19 EUR bis 6.21 EUR
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 Produktcode: 51442
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
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