
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 6.21 EUR |
25+ | 3.52 EUR |
100+ | 2.87 EUR |
500+ | 2.35 EUR |
1000+ | 2.19 EUR |
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Technische Details SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHG20N50C-E3 nach Preis ab 2.86 EUR bis 23.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 Produktcode: 51442
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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