SIHG20N50E-GE3
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Technische Details SIHG20N50E-GE3
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Preis SIHG20N50E-GE3 ab 2.71 EUR bis 6.92 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube
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