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SIHG20N50E-GE3

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Produktcode: 218372
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay sihg20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay sihg20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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18+4.18 EUR
20+3.72 EUR
22+3.27 EUR
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SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix sihg20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
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10+4.49 EUR
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SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihg20n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1000+2.75 EUR
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SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3
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Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
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10+4.49 EUR
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SIHG20N50E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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