SIHH11N60E-T1-GE3
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Technische Details SIHH11N60E-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076pF @ 100V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Package / Case: 8-PowerTDFN.
Preis SIHH11N60E-T1-GE3 ab 5.98 EUR bis 8.11 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 600V 11A 4-Pin PowerPAK EP T/R 
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Discontinued at Digi-Key FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076pF @ 100V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Package / Case: 8-PowerTDFN
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V
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