SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm
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| 31+ | 8.29 EUR |
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Technische Details SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY
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Weitere Produktangebote SIHH11N60E-T1-GE3 nach Preis ab 2.98 EUR bis 10.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIHH11N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH11N60E-T1-GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHH11N60E-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.86 EUR |
| 10+ | 8.96 EUR |
| 100+ | 6.91 EUR |
| 500+ | 5.89 EUR |
| 1000+ | 4.55 EUR |
| 3000+ | 3.03 EUR |
| 6000+ | 2.98 EUR |
| SIHH11N60E-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Produktpalette: E Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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