SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin PowerPAK EP T/R
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Technische Details SIHH11N65E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Package / Case: 8-PowerTDFN, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, FET Type: N-Channel, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257pF @ 100V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V.

Preis SIHH11N65E-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SIHH11N65E-T1-GE3
SIHH11N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257pF @ 100V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
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SIHH11N65E-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
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