SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: To Be Advised
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHH11N65E-T1-GE3 nach Preis ab 4.19 EUR bis 10.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiHH11N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SIHH11N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SiHH11N65E-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.64 EUR |
| 10+ | 7 EUR |
| 100+ | 5.15 EUR |
| 500+ | 4.57 EUR |
| 1000+ | 4.19 EUR |
| SIHH11N65E-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)