
SiHH11N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Anzahl | Preis |
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1+ | 7.43 EUR |
10+ | 5.54 EUR |
25+ | 4.93 EUR |
100+ | 4.29 EUR |
250+ | 3.94 EUR |
500+ | 3.73 EUR |
1000+ | 3.52 EUR |
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Technische Details SiHH11N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH11N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.316 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SiHH11N65E-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm SVHC: To Be Advised |
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SIHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 130W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.316ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm SVHC: To Be Advised |
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SIHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SiHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 363mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 27A Gate charge: 68nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SiHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V |
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SiHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 100 V |
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SiHH11N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 130W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 363mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 27A Gate charge: 68nC |
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