SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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| 250+ | 9.85 EUR |
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Technische Details SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 12.8A, Pulsed drain current: 53A, Power dissipation: 156W, Case: PowerPAK® 8x8L, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 99nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SiHH21N65E-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SiHH21N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 156W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SiHH21N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8 |
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SiHH21N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8 |
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| SiHH21N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 156W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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