SiHH21N65E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details SiHH21N65E-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 12.8A, Pulsed drain current: 53A, Power dissipation: 156W, Case: PowerPAK® 8x8L, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 99nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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