SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SIHP25N40D-GE3 THT N channel transistors
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Technische Details SIHP25N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB, Supplier Device Package: TO-220AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707pF @ 100V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tube, Manufacturer: Vishay Siliconix, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Base Part Number: SIHP25, Package / Case: TO-220-3.

Preis SIHP25N40D-GE3 ab 2.57 EUR bis 7.9 EUR

SIHP25N40D-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Hersteller: VISHAY
Material: SIHP25N40D-GE3 THT N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 400V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707pF @ 100V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Base Part Number: SIHP25
Package / Case: TO-220-3
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