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Technische Details SIHP33N60E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SIHP33N60E-GE3 nach Preis ab 4.88 EUR bis 14.14 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm |
auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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