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| Anzahl | Preis |
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| 65+ | 2.30 EUR |
| 67+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 250+ | 1.85 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
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Technische Details SIHP33N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHP33N60E-GE3 nach Preis ab 4.62 EUR bis 10.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Case: TO220AB On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 278W Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Case: TO220AB On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 278W |
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