SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 22.72 EUR |
10+ | 18.21 EUR |
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Technische Details SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHS90N65E-GE3 nach Preis ab 21.65 EUR bis 22.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SIHS90N65E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHS90N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised |
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