SIR164DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SIR164DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Base Part Number: SIR164, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.

Preis SIR164DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SIR164
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Base Part Number: SIR164
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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