SIR622DP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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39+ | 1.86 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
3000+ | 1.16 EUR |
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Technische Details SIR622DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm.
Weitere Produktangebote SIR622DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 51.6A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5961 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 135884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm |
auf Bestellung 43415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm |
auf Bestellung 43415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay | N-Channel 150 V MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR622DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
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