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SIR622DP-T1-RE3

SIR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir622dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
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Technische Details SIR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir622dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
59+1.23 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
3000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 100A
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Anzahl Preis
54+1.33 EUR
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3000+0.97 EUR
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir622dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
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7+2.66 EUR
10+2.02 EUR
100+1.52 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sir622dp.pdf MOSFETs 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
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2+2.69 EUR
10+1.83 EUR
100+1.45 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.05 EUR
3000+1.00 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 2786176.pdf Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 2786176.pdf Description: VISHAY - SIR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51.6 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 49870 Stücke:
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