SIR836DP-T1-GE3
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Technische Details SIR836DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel.
Preis SIR836DP-T1-GE3 ab 0.42 EUR bis 0.98 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R 
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SIR836DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR836DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR836DP-T1-GE3 Hersteller: SIR836DP MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
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SIR836DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel
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auf Bestellung 1295 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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