SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SIR836DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel.

Preis SIR836DP-T1-GE3 ab 0.42 EUR bis 0.98 EUR

SIR836DP-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR836DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR836DP-T1-GE3
Hersteller:
SIR836DP MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
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SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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