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Technische Details SIR836DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR836DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 54478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V |
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SIR836DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V |
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