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SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sir836dp.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SIR836DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir836dp.pdf Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir836dp.pdf Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir836dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir836dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir836dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir836dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
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SIR836DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir836dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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