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Technische Details SIR836DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR836DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 14397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 14397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 41897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 14397 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 356+ | 0.5 EUR |
| 358+ | 0.49 EUR |
| 360+ | 0.48 EUR |
| 362+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.43 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.5 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 284+ | 0.62 EUR |
| 315+ | 0.54 EUR |
| 317+ | 0.51 EUR |
| 355+ | 0.44 EUR |
| 356+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.37 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.76 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6325 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| 150+ | 1.55 EUR |
| 220+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 113+ | 2.21 EUR |
| 150+ | 1.55 EUR |
| 220+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
| SIR836DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.34 EUR |
| 10+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |