SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 10+ | 5.36 EUR |
| 11+ | 4.73 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
| 3000+ | 2.5 EUR |
| 6000+ | 2.4 EUR |
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Technische Details SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR846ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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