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SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sir846adp.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir846adp.pdf Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
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SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
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