SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 16+ | 3.28 EUR |
| 20+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 2.1 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 3000+ | 1.41 EUR |
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Technische Details SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Power dissipation: 69W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 90nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, On-state resistance: 3.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR862DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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