SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 3000+ | 1.14 EUR |
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Technische Details SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 69W, Gate charge: 90nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 25V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 3.5mΩ.
Weitere Produktangebote SIR862DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR862DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| SIR862DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)