SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.73 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
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| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, On-state resistance: 3.5mΩ, Power dissipation: 69W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 70A.
Weitere Produktangebote SIR862DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 69W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A |
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