SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.
Weitere Produktangebote SIRA10BDP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8 |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
auf Bestellung 9435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 150A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8 |
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| SIRA10BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 150A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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