SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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Technische Details SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRB40DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.09 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIRB40DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 14977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 25968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRB40DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 14977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
auf Bestellung 3467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIRB40DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.53 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 5000+ | 1.09 EUR |
| SIRB40DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 3000+ | 1.15 EUR |
| SIRB40DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 92+ | 2.53 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 5000+ | 1.09 EUR |
| SIRB40DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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| 500+ | 1.62 EUR |
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