SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SIRB40DP-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 46.2W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SIRB40DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SIRB40DP-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 36460 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 46.2W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 46.2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
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SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 46.2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
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