SIRB40DP-T1-GE3
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Technische Details SIRB40DP-T1-GE3
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 46.2W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SIRB40DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 
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auf Bestellung 36460 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIRB40DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 46.2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Feature: Standard FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 46.2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 46.2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR)
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